Caractéristiques :

• Étages symétriques à composants discrets

• Transistors de sortie à technologie MOS-FET

• Face avant en aluminium 4 mm

• Chassis en acier de 1,5 mm

• Bande passante : 5 Hz – 200 kHz 

• Puissance efficace Wrms/canal/8 Ω : 100 W

• Puissance efficace Wrms/canal/4 Ω  : 140 W

• Puissance impulsionnelle : 180 W

• Alimentation (VA) : 660

• Total capacitif (µF) : 45 000

• Nombre d’entrées : 3

• Impédance d’entrée (kΩ) : 47

• Sensibilité (mV) : 1,77

• Temps de montée (µs) : 1,3

• Rapport Signal/Bruit (dBA) : 100 dB

• Poids (kg) : 10

• Dimensions (mm) : 440x90x270