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Caractéristiques :
Étages symétriques à composants discrets
Transistors de sortie à technologie MOS-FET
Face avant en aluminium 4 mm
Chassis en acier de 1,5 mm
Bande passante : 5 Hz – 200 kHz
Puissance efficace Wrms/canal/8 Ω : 100 W
Puissance efficace Wrms/canal/4 Ω : 140 W
Puissance impulsionnelle : 180 W
Alimentation (VA) : 660
Total capacitif (µF) : 45 000
Nombre d’entrées : 3
Impédance d’entrée (kΩ) : 47
Sensibilité (mV) : 1,77
Temps de montée (µs) : 1,3
Rapport Signal/Bruit (dBA) : 100 dB
Poids (kg) : 10
Dimensions (mm) : 440x90x270
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